希華科技藉由臺(tái)灣、日本、大陸三地的產(chǎn)品設(shè)計(jì)開發(fā)與制程資源整合，不斷開發(fā)創(chuàng)新及制程改造，以全系列完整產(chǎn)品線，來滿足客戶對(duì)石英元件多樣化的需求。積極地透過產(chǎn)學(xué)合作與配合國(guó)外技術(shù)引進(jìn)開發(fā)新產(chǎn)品，多角化經(jīng)營(yíng)、擴(kuò)大市場(chǎng)領(lǐng)域，此亦為公司得以永續(xù)經(jīng)營(yíng)的方針。

敏銳地掌握電子產(chǎn)品輕薄短小化、快速光電寬頻傳輸與高頻通訊的發(fā)展主流，致力于開發(fā)小型化、高頻與光電領(lǐng)域等產(chǎn)品，與日本同業(yè)并駕齊驅(qū)。且深耕微機(jī)電(MEMS)技術(shù)領(lǐng)域，加速導(dǎo)入小體積貼片晶振的量產(chǎn)，藉以擴(kuò)大公司營(yíng)收規(guī)模并且提升獲利空間。

SIWARD晶振,貼片晶振,SX-5032晶振,低頻晶振可從8MHz起對(duì)應(yīng),小型,超薄型具備強(qiáng)防焊裂性,石英晶體在極端嚴(yán)酷的環(huán)境條件下也能發(fā)揮穩(wěn)定的起振特性,產(chǎn)品本身具有耐熱,耐振,耐撞擊等優(yōu)良的耐環(huán)境特性,滿足無鉛焊接以及高溫回流溫度曲線要求,符合AEC-Q200標(biāo)準(zhǔn).

晶振的真空封裝技術(shù)：是指壓電石英晶振在真空封裝區(qū)域內(nèi)進(jìn)行封裝。1.防止外界氣體進(jìn)入組件體內(nèi)受到污染和增加應(yīng)力的產(chǎn)生；2.使晶振組件在真空下電阻減小；3.氣密性高。此技術(shù)為研發(fā)及生產(chǎn)超小型、超薄型石英晶振必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一

以下是石英晶振電路設(shè)計(jì)匹配問題：

一般來說，微處理器的振蕩電路由考畢茲電路顯示派生如下：

鎘和CG是外部負(fù)載電容，其中已建成的芯片組。 （請(qǐng)參閱芯片組的規(guī)格）

Rf為具有200KΩ?1MΩ反饋電阻。它的內(nèi)置芯片一般設(shè)置。

Rd為限流電阻470Ω與1KΩ?。這個(gè)阻力是沒有必要的公共電路，但僅用于具有高電源電路。

一個(gè)穩(wěn)定的石英晶體振蕩器電路需要的負(fù)電阻，其值應(yīng)是晶振阻力的至少五倍。它可寫為|-R|>5的Rr。

例如，為了獲得穩(wěn)定的振蕩電路中，IC的負(fù)電阻的值必須小于？200Ω時(shí)的晶振電阻值是40Ω。負(fù)阻“的標(biāo)準(zhǔn)來評(píng)估一個(gè)振蕩電路的質(zhì)量。在某些情況下，例如老化，熱變化，電壓變化，以及等等，電路可能不會(huì)產(chǎn)生振蕩的“Q”值是低的。因此，這是非常重要的衡量負(fù)電阻（-R）以下說明：

線路連接的電阻（R）與晶體串聯(lián)

（2）從起點(diǎn)到振蕩的停止點(diǎn)調(diào)整R的值。

（3）振蕩期間測(cè)量R的值。

（4）你將能夠獲得負(fù)電阻的值，|•R|= R +的Rr，和RR =晶振的阻力。

附：所連接的電路的雜散電容，可能會(huì)影響測(cè)定值。SIWARD晶振,貼片晶振,SX-5032晶振