使工藝技術達到人無完人,史前無例,實現(xiàn)以基波方式產(chǎn)生2.5GHz為止高頻的表面聲波（SAW）元器件.愛普生拓優(yōu)科夢把半導體（IC）稱之為“產(chǎn)業(yè)之米”,并認為進口晶振元器件更是離不開的“產(chǎn)業(yè)之鹽”.將進一步致力于小型、高穩(wěn)定、高精度晶體元器件的開發(fā),為現(xiàn)有的應用程序以及生活新藍圖開拓廣闊前景. 愛普生晶振在KHZ,MHZ,以及GHZ上都有重大突破,使得愛普生拓優(yōu)科夢的晶振元器件已以23%的市場占有率位于業(yè)界第一.
愛普生晶振,恒溫晶振,SG-9101CB晶振,X1G0053110011晶振,智能手機晶振,產(chǎn)品具有高精度超小型的表面貼片型石英晶體振蕩器,最適用于移動通信終端的基準時鐘等移動通信領域.比如智能手機,無線通信,衛(wèi)星導航,平臺基站等較高端的數(shù)碼產(chǎn)品,晶振本身小型,薄型具備各類移動通信的基準時鐘源用頻率,貼片晶振具有優(yōu)良的電氣特性,耐環(huán)境性能適用于移動通信領域,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.
石英晶振高精度晶片的拋光技術：日產(chǎn)晶振是目前晶片研磨技術中表面處理技術的最高技術，最終使晶振晶片表面更光潔，平行度及平面度更好，降低諧振電阻，提高Q值。從而達到一般研磨所達不到的產(chǎn)品性能，使石英晶振的等效電阻等更接近理論值，使晶振可在更低功耗下工作。使用先進的牛頓環(huán)及單色光的方法去檢測晶片表面的狀態(tài)。
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項目 |
符號 |
規(guī)格說明 |
條件 |
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輸出頻率范圍 |
f0 |
0.67~170MHZ |
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電源電壓 |
VCC |
1.62V to 3.63V |
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儲存溫度 |
T_stg |
-55℃to +125℃ |
裸存 |
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工作溫度 |
T_use |
G: -40℃to +85℃ |
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H: -40℃to +105℃ |
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J: -40℃to +125℃ |
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頻率穩(wěn)定度 |
f_tol |
J: ±50 × 10-6 |
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L: ±100 × 10-6 |
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T: ±150 × 10-6 |
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功耗 |
ICC |
3.5 mA Max. |
無負載條件、最大工作頻率 |
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待機電流 |
I_std |
3.3μA Max. |
ST=GND |
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占空比 |
SYM |
45 % to 55 % |
50 % VCC極, L_CMOS≦15 pF |
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輸出電壓 |
VOH |
VCC-0.4V Min. |
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VOL |
0.4 V Max. |
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輸出負載條件 |
L_CMOS |
15 pF Max. |
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輸入電壓 |
VIH |
80% VCCMax. |
ST終端 |
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VIL |
20 % VCCMax. |
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上升/下降時間 |
tr / tf |
4 ns Max. |
20 % VCCto 80 % VCC極, L_CMOS=15 pF |
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振蕩啟動時間 |
t_str |
3 ms Max. |
t=0 at 90 % |
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頻率老化 |
f_aging |
±3 × 10-6/ year Max. |
+25℃,初年度,第一年 |
愛普生TCXO進口日產(chǎn)晶振型號列表:
愛普生TCXO進口日產(chǎn)晶振編碼列表:
Frequency
Model
LxWxH
Output Wave
Ope Temperature
SS percentage
I[Max]
Symmetry
25°CAging
Terminal Plating
65.536000 MHz
SG-9101CB
5.00 x 3.20 x 1.20 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-1.00%
≤ 5.4 mA
45 to 55 %
+/- ppm
Au
22.996140 MHz
SG-9101CB
5.00 x 3.20 x 1.20 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-0.25%
≤ 4.6 mA
45 to 55 %
+/- ppm
Au
14.747720 MHz
SG-9101CB
5.00 x 3.20 x 1.20 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-0.50%
≤ 3.7 mA
45 to 55 %
+/- ppm
Au
32.959000 MHz
SG-9101CB
5.00 x 3.20 x 1.20 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-1.00%
≤ 4.6 mA
45 to 55 %
+/- ppm
Au
16.000000 MHz
SG-9101CB
5.00 x 3.20 x 1.20 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-0.25%
≤ 3.7 mA
45 to 55 %
+/- ppm
Au
33.025840 MHz
SG-9101CB
5.00 x 3.20 x 1.20 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-0.25%
≤ 4.6 mA
45 to 55 %
+/- ppm
Au
32.959000 MHz
SG-9101CB
5.00 x 3.20 x 1.20 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-1.00%
≤ 4.6 mA
45 to 55 %
+/- ppm
Au
X1G0053110011
65.536000 MHz
SG-9101CB
5.00 x 3.20 x
1.20 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-1.00%
≤ 5.4 mA
45 to 55 %
+/- ppm
Au
X1G0053110012
22.996140
MHz
SG-9101CB
5.00
x 3.20 x 1.20 mm
CMOS
-40
to 85 °C
+/-0.25%
≤
4.6 mA
45
to 55 %
+/-
ppm
Au
X1G0053110013
14.747720
MHz
SG-9101CB
5.00
x 3.20 x 1.20 mm
CMOS
-40
to 85 °C
+/-0.50%
≤
3.7 mA
45
to 55 %
+/-
ppm
Au
X1G0053110014
32.959000
MHz
SG-9101CB
5.00
x 3.20 x 1.20 mm
CMOS
-40
to 85 °C
+/-1.00%
≤
4.6 mA
45
to 55 %
+/-
ppm
Au
X1G0053110015
16.000000
MHz
SG-9101CB
5.00
x 3.20 x 1.20 mm
CMOS
-40
to 85 °C
+/-0.25%
≤
3.7 mA
45
to 55 %
+/-
ppm
Au
X1G0053110016
33.025840
MHz
SG-9101CB
5.00
x 3.20 x 1.20 mm
CMOS
-40
to 85 °C
+/-0.25%
≤
4.6 mA
45
to 55 %
+/-
ppm
Au
X1G0053110017
32.959000
MHz
SG-9101CB
5.00
x 3.20 x 1.20 mm
CMOS
-40
to 85 °C
+/-1.00%
≤
4.6 mA
45
to 55 %
+/-
ppm
Au
存儲事項:(1) 在更高或更低溫度或高濕度環(huán)境下長時間保存時,會影響5032有源振蕩器頻率穩(wěn)定性或焊接性。請在正常溫度和濕度環(huán)境下保存這些石英晶振產(chǎn)品,并在開封后盡可能進行安裝,以免長期儲藏。 正常溫度和濕度： 溫度：+15°C 至 +35°C,濕度 25 % RH 至 85 % RH。 (2) 請仔細處理內(nèi)外盒與卷帶。外部壓力會導致卷帶受到損壞。愛普生晶振,恒溫晶振,SG-9101CB晶振,X1G0053110011晶振
耐焊性：將SMD有源晶體振蕩器加熱包裝材料至+150°C以上會破壞產(chǎn)品特性或損害產(chǎn)品。如需在+150°C以上焊接石英晶振,建議使用SMD晶振產(chǎn)品。在下列回流條件下,對石英晶振產(chǎn)品甚至使用更高溫度,會破壞晶振特性。建議使用下列配置情況的回流條件。安裝這些貼片晶振之前,應檢查焊接溫度和時間。同時,在安裝條件更改的情況下,請再次進行檢查。如果需要焊接的晶振產(chǎn)品在下列配置條件下進行焊接,請聯(lián)系我們以獲取耐熱的相關信息。
PCB設計指導:(1) 理想情況下,機械蜂鳴器應安裝在一個獨立于超小型SMD晶振器件的PCB板上。如果您安裝在同一個PCB板上,最好使用余量或切割PCB。當應用于PCB板本身或PCB板體內(nèi)部時,機械振動程度有所不同。建議遵照內(nèi)部板體特性。(2) 在設計時請參考相應的推薦裝。(3) 在使用焊料助焊劑時,按JIS標準(JIS C 60068-2-20/IEC 60,068-2-20).來使用。(4) 請按JIS標準(JIS Z 3282, Pb 含量 1000ppm, 0.1wt% 或更少)來使用無鉛焊料。
希華晶振,有源晶振,OSC52晶振,貼片晶振
希華晶振,有源晶振,OSC71晶振,石英晶體振蕩器
希華晶振,有源晶振,OSC73晶振,石英貼片晶振
百利通亞陶晶振,有源晶振,FD晶振,FD2450017晶振
百利通亞陶晶振,有源晶振,FN晶振,FN2500149晶振
愛普生晶振,有源晶振,SG-8101CB晶振,X1G0052010011晶振