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SIWARD晶振,貼片晶振,LP-3.5S晶振,LP-4.2S晶振

頻率:3.5~80MHZ

尺寸:12.3×4.7mm

49S貼片晶體外觀使用金屬材料封裝的,具有高穩定性,高可靠性的石英晶體諧振器,晶振外觀本身使用金屬封裝,充分的密封性能,可確保其高可靠性

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希華晶振科技敏銳地掌握電子產品輕薄短小化、快速光電寬頻傳輸與高頻通訊的發展主流,致力于開發小型化、高頻與光電領域等產品,與日本同業并駕齊驅。且深耕微機電(MEMS)技術領域,加速導入TF 貼片晶振的量產,藉以擴大公司營收規模并且提升獲利空間。

藉由臺灣、日本、大陸三地的產品設計開發與制程資源整合,不斷開發創新及制程改造,以全系列完整產品線,來滿足客戶對石英元件多樣化的需求。積極地透過產學合作與配合國外技術引進開發新產品,多角化經營、擴大市場領域,此亦為公司得以永續經營的方針。

SIWARD晶振,貼片晶振,LP-3.5S晶振,LP-4.2S晶振,產品本身具有高穩定性,高可靠性的石英晶體諧振器,焊接方面支持表面貼裝,外觀采用金屬封裝,具有充分的密封性能,晶振本身能確保其高可靠性,采用編帶包裝,可對應產品應用到自動貼片機告訴安裝,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.

貼片晶振晶片邊緣處理技術:貼片晶振是晶片通過滾筒倒邊,主要是為了去除石英晶振晶片的邊緣效應,在實際操作中機器運動方式設計、滾筒的曲率半徑、滾筒的長短、使用的研磨砂的型號、多少、填充物種類及多少等各項設計必須合理,有一項不完善都會使晶振晶片的邊緣效應不能去除,而石英晶振晶片的諧振電阻過大,用在電路中Q值過小,從而電路不能振動或振動了不穩定。

希華晶振規格

單位

LP-3.5S晶振,LP-4.2S貼片晶振頻率范圍

石英晶振基本條件

標準頻率

f_nom

3.5MHZ~80.0MHZ

標準頻率

儲存溫度

T_stg

-40°C +90°C

裸存

工作溫度

T_use

-40°C +85°C

標準溫度

激勵功率

DL

200μW Max.

推薦:1μW 100μW

頻率公差

f_— l

±50 × 10-6 (標準),
(±15 × 10-6 
±50 × 10-6 可用)

+25°C 對于超出標準的規格說明,
請聯系我們以便獲取相關的信息,http://m.mtrpxt.cn/

頻率溫度特征

f_tem

±30 × 10-6/-20°C +70°C

超出標準的規格請聯系我們.

負載電容

CL

8pF ,10PF,12PF,20PF

超出標準說明,請聯系我們.

串聯電阻(ESR)

R1

如下表所示

-40°C —  +85°C, DL = 100μW

頻率老化

f_age

±5 × 10-6 / year Max.

+25°C,第一年

LP-3.5S 12.3-4.7

SIWARD晶振,貼片晶振,LP-3.5S晶振,LP-4.2S晶振產品線路焊接安裝時注意事項

耐焊性:

將晶振加熱包裝材料至+150°C以上會破壞產品特性或損害產品。如需在+150°C以上焊接石英晶振,建議使用SMD晶振產品。在下列回流條件下,對石英晶振產品甚至SMD貼片晶振使用更高溫度,會破壞晶振特性。建議使用下列配置情況的回流條件。安裝這些貼片晶振之前,應檢查焊接溫度和時間。同時,在安裝條件更改的情況下,請再次進行檢查。如果需要焊接的晶振產品在下列配置條件下進行焊接,請聯系我們以獲取耐熱的相關信息。

(1)柱面式產品和DIP產品

晶振產品類型

晶振焊接條件

插件晶振型,是指石英晶振采用引腳直插模式的情況下
比如:橢圓形引腳插件,圓柱晶體引腳插件

手工焊接+300°C或低于3秒鐘
請勿加熱封裝材料超過+150°C

SMD型貼片晶振,是指石英晶振采用SMT高速焊接,或者回流焊接情況下,有些型號晶振高溫可達260°,有些只可達230°

+260°C或低于@最大值 10 s
請勿加熱封裝材料超過+150°C

(2)SMD產品回流焊接條件圖

用于JEDEC J-STD-020D.01回流條件的耐熱可用性需個別判斷。請聯系我們以便獲取相關信息。


盡可能使溫度變化曲線保持平滑:

WDBHQXT

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