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晶振帝國(guó)
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維管晶振,石英晶體振蕩器,MO-9000A有源晶振

頻率:1.000MHz~110.000MHz

尺寸:2.5*2.0*0.75mm

智能家居晶振,產(chǎn)品具有高精度超小型的表面貼片型石英晶體振蕩器,最適用于移動(dòng)通信終端的基準(zhǔn)時(shí)鐘等移動(dòng)通信領(lǐng)域.比如智能手機(jī),無(wú)線通信,衛(wèi)星導(dǎo)航,平臺(tái)基站等較高端的數(shù)碼產(chǎn)品,晶振本身小型,薄型具備各類移動(dòng)通信的基準(zhǔn)時(shí)鐘源用頻率,貼片晶振具有優(yōu)良的電氣特性,耐環(huán)境性能適用于移動(dòng)通信領(lǐng)域,滿足無(wú)鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.

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維管晶振,石英晶體振蕩器,MO-9000A有源晶振.貼片式石英晶體振蕩器,低電壓?jiǎn)?dòng)功率,并且有多種電壓供選擇,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用于,平板筆記本,GPS系統(tǒng),光纖通道,千兆以太網(wǎng),串行ATA,串行連接SCSI,PCI-Express的SDH/SONET發(fā)射基站等領(lǐng)域.符合RoHS/無(wú)鉛.

Vectron國(guó)際公司總部位于美國(guó)北部的哈德遜,在北美、歐洲和亞洲設(shè)有運(yùn)營(yíng)設(shè)施和銷售辦事處,它的技術(shù)能力在水晶振蕩器和濾光器設(shè)計(jì)方面都很有名.維管Vectron晶振公司提供的創(chuàng)新和能力反映了更高頻率、低成本設(shè)計(jì)和小型化的趨勢(shì),以及更先進(jìn)的技術(shù)集成解決方案.其中一些關(guān)鍵技術(shù)包括:ASIC設(shè)計(jì)、表面安裝技術(shù)、陶瓷封裝、混合制造到類“S”、“高頻基礎(chǔ)”(HFF)晶體設(shè)計(jì)和空間組件能力

有源晶振高頻振蕩器使用IC與晶片設(shè)計(jì)匹配技術(shù):有源石英晶振是高頻振蕩器研發(fā)及生產(chǎn)過(guò)程必須要解決的技術(shù)難題.在設(shè)計(jì)過(guò)程中除了要考慮石英晶體諧振器具有的電性外,還有石英晶體振蕩器的電極設(shè)計(jì)等其它的特殊性,必須考慮石英晶體振蕩器的供應(yīng)電壓、起動(dòng)電壓和產(chǎn)品上升時(shí)間、下降時(shí)間等相關(guān)參數(shù).

2

Vectron晶振

MO-9000A晶振

輸出類型

CMOS

輸出負(fù)載

15pF

振蕩模式

基本/第三泛音

電源電壓

+1.62V、+1.8V、+1.98V

頻率范圍

1~110MHZ

頻率穩(wěn)定度

±20ppm

工作溫度

-20℃~+70℃

保存溫度

-40℃~+85℃

電壓卷(最大值)/ VOH(最小值)

0.1 VDD / 0.9 VDD

啟動(dòng)時(shí)間

5 ms Max

相位抖動(dòng)(12兆赫~20兆赫)

1個(gè)PS最大

老化率

±3 ppm /年最大

3

MO-9000A 2520 XO

4


負(fù)極電阻

除非振蕩回路中分配足夠多的負(fù)極電阻,否則有源晶振或振蕩啟動(dòng)時(shí)間可能會(huì)增加(請(qǐng)參閱“關(guān)于振蕩”章節(jié)內(nèi)容)

負(fù)載電容

振蕩電路中負(fù)載電容的不同,可能導(dǎo)致振蕩頻率與設(shè)計(jì)頻率之間產(chǎn)生偏差.試圖通過(guò)強(qiáng)力調(diào)整,可能只會(huì)導(dǎo)致不正常的振蕩.在使用之前,請(qǐng)指明該振動(dòng)電路的負(fù)載電容(請(qǐng)參閱“負(fù)載電容”章節(jié)內(nèi)容).

晶體振蕩器和實(shí)時(shí)時(shí)鐘模塊

所有石英晶體壓控控制振蕩器和實(shí)時(shí)時(shí)鐘模塊都以IC形式提供.

噪音

在電源或輸入端上施加執(zhí)行級(jí)別(過(guò)高)的不相干(外部的)噪音,可能導(dǎo)致會(huì)引發(fā)功能失常或擊穿的閉門或雜散現(xiàn)象.

電源線路

電源的線路阻抗應(yīng)盡可能低.

輸出負(fù)載

建議將輸出負(fù)載安裝在盡可能靠近2520晶振的地方(在20mm范圍之間).

未用輸入終端的處理

未用針腳可能會(huì)引起噪聲響應(yīng),從而導(dǎo)致非正常工作.同時(shí),當(dāng)P通道和N通道都處于打開(kāi)時(shí),電源功率消耗也會(huì)增加;因此,請(qǐng)將未用輸入終端連接到VCC或GND.

激勵(lì)功率

在晶體單元上施加過(guò)多驅(qū)動(dòng)力,會(huì)導(dǎo)致石英低功耗晶振特性受到損害或破壞.電路設(shè)計(jì)必須能夠維持適當(dāng)?shù)募?lì)功率(請(qǐng)參閱“激勵(lì)功率”章節(jié)內(nèi)容).

MO-9000A

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