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晶振帝國
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Abracon晶振,石英貼片晶振,ABM12晶體

頻率:24.000MHz~80.000MHz

尺寸:1.6*1.2*0.45mm

智能手機(jī)晶振,產(chǎn)品具有高精度超小型的表面貼片型石英晶體諧振器,最適用于移動通信終端的基準(zhǔn)時鐘等移動通信領(lǐng)域.比如智能手機(jī),無線通信,衛(wèi)星導(dǎo)航,平臺基站等較高端的數(shù)碼產(chǎn)品,晶振本身小型,薄型具備各類移動通信的基準(zhǔn)時鐘源用頻率,貼片晶振具有優(yōu)良的電氣特性,耐環(huán)境性能適用于移動通信領(lǐng)域,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.

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Abracon晶振,石英貼片晶振,ABM12晶體.小型貼片石英晶振,外觀尺寸具有薄型表面貼片型石英晶體諧振器,特別適用于有小型化要求的市場領(lǐng)域,比如智能手機(jī),無線藍(lán)牙,平板電腦等電子數(shù)碼產(chǎn)品.晶振本身超小型,薄型,重量輕,晶體具有優(yōu)良的耐環(huán)境特性,如耐熱性,耐沖擊性,在辦公自動化,家電相關(guān)電器領(lǐng)域及Bluetooth,WirelessLAN等短距離無線通信領(lǐng)域可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求.

奧斯汀,得克薩斯州,Abracon LLC(Abracon),全球領(lǐng)先的制造廠家,與機(jī)電時間同步,權(quán)力,連通性和射頻解決方案宣布音頻和視頻解決方案指南強(qiáng)調(diào)石英晶振晶體產(chǎn)品適合使用者應(yīng)用程序如機(jī)頂盒,虛擬現(xiàn)實,便攜式音頻、視頻/電話會議,耐磨,物聯(lián)網(wǎng),無人機(jī),相機(jī)/攝像機(jī)、顯示器和高保真音頻以及專業(yè)應(yīng)用,如音頻混合器,唱片的質(zhì)量接收器,廣播工作室相機(jī)等設(shè)備,路由器和轉(zhuǎn)換器使用SDI,HD-SDI和3 g HD-SDI.

石英晶振多層、多金屬的濺射鍍膜技術(shù):是目前研發(fā)及生產(chǎn)高精度、高穩(wěn)定性石英晶體元器件——石英晶振必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一.石英晶振該選用何鍍材、鍍幾種材料、幾種鍍材的鍍膜順序,鍍膜的工藝方法(如各鍍材的功率設(shè)計等).使用此鍍膜方法使鍍膜后的時計產(chǎn)品晶振附著力增強(qiáng),貼片晶振頻率更加集中,能控制在最小ppm之內(nèi).

2

Abracon晶振

單位

ABM12晶振

石英晶振基本條件

標(biāo)準(zhǔn)頻率

f_nom

24.000MHz~80.000MHz

標(biāo)準(zhǔn)頻率

儲存溫度

T_stg

-40°C ~+85°C

裸存

工作溫度

T_use

-10℃~+50℃

標(biāo)準(zhǔn)溫度

激勵功率

DL

1.0μW Max.

推薦:10μW

頻率公差

f_— l

±50ppm

+25°C 對于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明,
請聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息,http://m.mtrpxt.cn/

頻率溫度特征

f_tem

30 × 10-6,±50 × 10-6

超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請聯(lián)系我們.

負(fù)載電容

CL

8pF

不同負(fù)載要求,請聯(lián)系我們.

串聯(lián)電阻(ESR)

R1

如下表所示

-40°C —  +85°C, DL = 100μW

頻率老化

f_age

±3× 10-6/year Max.

+25°C,第一年

3

ABM12 1612

4

晶體濾波器


注意電路板圖形的配置,避免輸入端子和輸出端子靠得太近.如果貼裝晶體濾光片的電路板的雜散電容較大,為了消除該雜散電容,有時需要配置調(diào)諧電路.如果過大的激勵電力對諧振器外加電壓,有可能導(dǎo)致壓電晶振特性老化或損壞,因此請在濾波器的輸入電平在−10dBm以下的狀態(tài)下使用.

光學(xué)產(chǎn)品

由于制造過程中進(jìn)行了灰塵等異物管理,因此包裝開封以后,請在進(jìn)行清潔度管理的環(huán)境中使用.

晶體諧振器

如果過大的激勵電力對石英晶體諧振器外加電壓,有可能導(dǎo)致特性老化或損壞,因此請在宣傳冊、規(guī)格書中規(guī)定的范圍內(nèi)使用.讓進(jìn)口晶振的電路寬裕度大致為負(fù)性阻抗值.本公司推薦此負(fù)性阻抗為諧振器串聯(lián)電阻規(guī)格值的5倍以上,若是車載和安全設(shè)備,則推薦10倍以上.

晶體振蕩器

晶體振蕩器的內(nèi)部電路使用C-MOS.閉鎖、靜電對策請和一般的C-MOSIC一樣考慮.有些石英晶體諧振器沒有和旁路電容器進(jìn)行內(nèi)部連接.使用時,請在Vdd-GND之間用0.01μF左右的高頻特性較好的電容器(陶瓷片狀電容器等)以最短距離連接.關(guān)于個別機(jī)型請確認(rèn)宣傳冊、規(guī)格書.

ABM12

5

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