百利通亞陶晶振,JT255晶振,溫度補償晶振.2520mm體積的晶振,可以說是目前小型數碼產品的福音,目前超小型的智能手機里面所應用的就是小型的石英晶振,該產品最適用于無線通訊系統,無線局域網,已實現低相位噪聲,低電壓,低消費電流和高穩定度,超小型,質量輕等產品特點,產品本身編帶包裝方式,可對應自動高速貼片機應用,以及高溫回流焊接(產品無鉛對應),為無鉛產品.
石英晶振多層、多金屬的濺射鍍膜技術:是目前研發及生產高精度、高穩定性石英晶體元器件——石英晶振必須攻克的關鍵技術之一.石英晶振該選用何鍍材、鍍幾種材料、幾種鍍材的鍍膜順序,鍍膜的工藝方法(如各鍍材的功率設計等).使用此鍍膜方法使鍍膜后的晶振附著力增強,貼片晶振頻率更加集中,能控制在最小ppm之內.
Double Data Rate (DDR) 同步動態隨機存取內存是用于計算機的內存等級. Diodes晶振可為高可用性通訊與網絡設備（包括服務器、RAID 儲存裝置、工作站與刪除重復數據設備）以及醫療裝置與其他嵌入式系統的 DDR3、DDR2 和 DDR1 SRAM 提供頻率及切換組件.該公司生產設施已達到 QS-9000、ISO-9001:2008、TS16949:2002 及 ISO 14001 認證的品質獎.Diodes 公司目前擁有 C-TPAT 認證.
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百利通亞陶晶振 |
JT255晶振 |
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輸出類型 |
Clipped Sine wave |
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輸出負載 |
10pF |
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振蕩模式 |
基本/第三泛音 |
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電源電壓 |
+1.8V~+3.3V |
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頻率范圍 |
16.369MHz |
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頻率穩定度 |
±2.0ppm |
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工作溫度 |
-40℃~+85℃ |
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保存溫度 |
-40℃~+85℃ |
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電壓卷（最大值）/ VOH（最小值） |
0.1 VDD / 0.9 VDD |
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啟動時間 |
5 ms Max |
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相位抖動（12兆赫~20兆赫） |
1個PS最大 |
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老化率 |
±3 ppm /年最大 |
輸出負載
建議將石英晶振輸出負載安裝在盡可能靠近振蕩器的地方（在20 mm范圍之間）.
未用輸入終端的處理
未用針腳可能會引起噪聲響應,從而導致非正常工作.同時,當P通道和N通道都處于打開時,電源功率消耗也會增加；因此,請將未用輸入終端連接到VCC 或GND.
熱影響
重復的溫度巨大變化可能會降低受損害的石英耐高溫晶振產品特性,并導致塑料封裝里的線路擊穿.必須避免這種情況.
安裝方向
振蕩器的不正確安裝會導致故障以及崩潰,因此安裝時,請檢查安裝方向是否正確.
通電
不建議從中間電位和/或極快速通電,否則會導致無法產生振蕩和/或非正常工作.
耐焊性:
將晶振加熱包裝材料至+150°C以上會破壞產品特性或損害產品.如需在+150°C以上焊接石英晶振,建議使用SMD晶振產品.在下列回流條件下,對石英晶振產品甚至SMD貼片晶振使用更高溫度,會破壞晶振特性.建議使用下列配置情況的回流條件.安裝這些貼片晶振之前,應檢查焊接溫度和時間.同時,在安裝條件更改的情況下,請再次進行檢查.如果需要焊接的晶振產品在下列配置條件下進行焊接,請聯系我們以獲取耐熱的相關信息.
抗沖擊
抗沖擊是指晶振產品可能會在某些條件下受到損壞.例如從桌上跌落,摔打,高空拋壓或在貼裝過程中受到沖擊.如果產品已受過沖擊請勿使用.因為無論何種石英超薄型晶振,其內部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都會給晶振照成不良影響.
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