86-0755-27838351

頻率:6.75MHZ~170MHZ
尺寸:3.2*2.5mm
KDS晶振,DSV323SV晶振,低抖動(dòng)晶振
日本大真空株式會(huì)社KDS晶振,于1993年被天津政府對(duì)外資招商部特別邀請(qǐng)?jiān)谥袊?guó)天津投資.日本大真空在當(dāng)年5月份,就在天津市位于武清開發(fā)區(qū)確定投資建廠,品牌是簡(jiǎn)稱(KDS晶振)當(dāng)時(shí)總額1.4億美元,注冊(cè)資本4867.3萬(wàn)美元,占地面積67.5畝.KDS晶振總公司設(shè)立在日本國(guó)兵庫(kù)縣加古川市平岡町新在家,創(chuàng)業(yè)時(shí)間為1959年11月3日,正式注冊(cè)成立是在1963年5月8日,當(dāng)時(shí)注冊(cè)資金高達(dá)321億日元之多,主要從事電子元件石英晶振以及電子設(shè)備生產(chǎn)銷售一體化,包括晶體諧振器,音叉型晶體諧振器,晶體應(yīng)用產(chǎn)品,晶體振蕩器,晶體濾波器,晶體光學(xué)產(chǎn)品,硅晶體時(shí)鐘設(shè)備,MEMS振蕩器等。 大真空株式會(huì)社KDS晶振自1959年建立以來(lái)一直遵從的三個(gè)理念“依賴”于“可靠的人”“可靠的產(chǎn)品”和“可靠的公司”。作為全球石英晶振制造商,大真空KDS晶振努力幫助實(shí)現(xiàn)新一代電子社會(huì),更方便人們更舒適,通過(guò)開發(fā)石英晶振, 壓控晶體振蕩器(VCXO)、溫補(bǔ)晶振(TCXO)、恒溫晶體振蕩器(OCXO)、陶瓷諧振器等晶體器件對(duì)全球環(huán)境友好。KDS晶振公司的現(xiàn)在的發(fā)展不是立馬就騰達(dá)起來(lái)的,而是靠著整個(gè)團(tuán)隊(duì)一點(diǎn)一滴的經(jīng)歷挫折與磨難,累積經(jīng)驗(yàn)給整合起來(lái)的.
日本大真空株式會(huì)社,【KDS】品牌,實(shí)力見(jiàn)證未來(lái),KDS集團(tuán)總公司位于日本兵庫(kù)縣加古川,在泰國(guó),印度尼西亞,臺(tái)灣,中國(guó)天津這些大城市均有生產(chǎn)工廠,而天津KDS晶振工廠是全球石英晶振生產(chǎn)最大量的工廠,自從1993年在天津投產(chǎn)以來(lái),技術(shù)更新從未間斷,從最初的32.768K晶體為主,到現(xiàn)在以小體積貼片晶體振蕩器為主,體積已經(jīng)是全世界石英晶體振蕩器之中最小的.
高精度石英晶振的切割設(shè)計(jì):用不同角度對(duì)晶振的石英晶棒進(jìn)行切割,可獲得不同特性的石英晶片,通常我們把晶振的石英晶片對(duì)晶棒坐標(biāo)軸某種方位(角度)的切割稱為石英晶片的切型.不同切型的石英晶片,因其彈性性質(zhì),壓電性質(zhì),溫度性質(zhì)不同,其電特性也各異,石英耐高溫晶振目前主要使用的有AT切、BT切.其它切型還有CT、DT、GT、NT等.
普通石英壓控晶振,外觀完全使用金屬材料封裝的,產(chǎn)品本身采用全自動(dòng)石英晶體檢測(cè)儀,以及跌落,漏氣等苛刻實(shí)驗(yàn).產(chǎn)品本身具有高穩(wěn)定性,高可靠性的石英晶體振蕩器,焊接方面支持表面貼裝,外觀采用金屬封裝,具有充分的密封性能,晶振本身能確保其高可靠性,采用編帶包裝,可對(duì)應(yīng)產(chǎn)品應(yīng)用到自動(dòng)貼片機(jī)告訴安裝,滿足無(wú)鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.
KDS晶振,DSV323SV晶振,低抖動(dòng)晶振
日本大真空株式會(huì)社KDS晶振遵守法規(guī)和監(jiān)管要求,從事環(huán)保產(chǎn)品的開發(fā).
環(huán)境政策,在其業(yè)務(wù)活動(dòng)的所有領(lǐng)域,從開發(fā),生產(chǎn)和銷售的壓電石英晶體元器件,壓電石英晶體,有源晶體,壓電陶瓷諧振器,大真空集團(tuán)業(yè)務(wù)政策促進(jìn)普遍信任的環(huán)境管理活動(dòng).
日本大真空株式會(huì)社KDS晶振將:
通過(guò)適當(dāng)控制環(huán)境影響的物質(zhì),減少能源的使用,以達(dá)到節(jié)約能源和節(jié)約資源的目的.
有效利用資源,防止環(huán)境污染,減少和妥善處理廢物,包括再利用和再循環(huán).
通過(guò)開展節(jié)能活動(dòng)和減少二氧化碳排放防止全球變暖.
避免采購(gòu)或使用直接或間接資助或受益剛果民主共和國(guó)或鄰近國(guó)家武裝組織的礦產(chǎn).
進(jìn)口環(huán)保晶振,遵守有關(guān)環(huán)境保護(hù)的法律,標(biāo)準(zhǔn),協(xié)議和任何公司承諾的其他要求.
根據(jù)環(huán)境方針制定環(huán)境目標(biāo)和目標(biāo),同時(shí)促進(jìn)這些活動(dòng),并定期檢討環(huán)境管理體系的持續(xù)改進(jìn).在我們的環(huán)境政策中教育所有員工和為我們的團(tuán)隊(duì)工作的人,通過(guò)教育和提高意識(shí)來(lái)提高他們的環(huán)保意識(shí).確保公眾環(huán)境保護(hù)活動(dòng)的信息公開.
KDS晶振集團(tuán)認(rèn)識(shí)到進(jìn)行環(huán)境管理和資源保持的責(zé)任和必要性,同時(shí)也認(rèn)識(shí)到針對(duì)全球環(huán)境問(wèn)題,為保持國(guó)際環(huán)境而進(jìn)行各行業(yè)建設(shè)性的合作是極其重要的.
過(guò)去KDS晶振集團(tuán)已經(jīng)針對(duì)重大污染控制項(xiàng)目建立了一整套記錄程序并且將繼續(xù)識(shí)別解決其自身環(huán)境污染及保持問(wèn)題,加強(qiáng)責(zé)任感以便進(jìn)行環(huán)境績(jī)效的持續(xù)改進(jìn).
KDS晶振集團(tuán)將:不論何時(shí)何地盡可能的進(jìn)行源頭污染預(yù)防.為環(huán)境目標(biāo)指標(biāo)的建立與評(píng)審提供框架.通過(guò)充分利用或回收等方法實(shí)現(xiàn)對(duì)自然資源的保持.
KDS晶振集團(tuán)將確保其產(chǎn)品及相關(guān)設(shè)施滿足甚至超出國(guó)家的,州立的以及地方環(huán)保機(jī)構(gòu)的相關(guān)法規(guī)規(guī)定及其他要求,同時(shí)該公司盡可能的參與并協(xié)助政府機(jī)關(guān)和其他官方組織從事的環(huán)保活動(dòng). 在地方對(duì)各項(xiàng)設(shè)施的管理責(zé)任中,確保滿足方針的目標(biāo)指標(biāo),同時(shí)在各種經(jīng)營(yíng)與生產(chǎn)活動(dòng)中完全遵守并符合現(xiàn)行所有標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范的要求.
KDS集團(tuán)將有效率的使用自然資源和能源,以便從源頭減少?gòu)U物產(chǎn)生和排放.我們將在關(guān)注于預(yù)防環(huán)境和安全事故,保護(hù)公眾健康的同時(shí),努力改進(jìn)我們的操作.我公司將積極參與加強(qiáng)公眾環(huán)境,健康和安全意識(shí)的活動(dòng),提高公眾對(duì)普遍的環(huán)境,健康和安全問(wèn)題的注意.
| 型名 | 記號(hào) | DSV323SV |
|---|---|---|
| 出力仕様 | - | CMOS |
| 出力周波數(shù)範(fàn)囲 | fo | 6.75~170MHz |
| 電源電圧 | VCC | +3.3V±0.165V |
| 周波數(shù)制御電圧 | Vcont | +1.65V±1.65V |
| 保存溫度範(fàn)囲 | T_stg | -40~+85℃ |
| 動(dòng)作溫度範(fàn)囲 | T_use | -10~+70℃/-40~+85℃ |
| 周波數(shù)許容偏差(常溫偏差含む) | f_tol | ±50×10-6 max. |
| 周波數(shù)可変範(fàn)囲 | f_cont | ±100×10-6 min. [Positive Slope] |
| 消費(fèi)電流 | ICC |
12mA 6.75MHz≦fo≦90MHz 25mA 80MHz≦fo≦170MHz [No Load] |
| スタンバイ時(shí)電流(#2ピン“L”) | I-std |
5mA 6.75MHz≦fo≦90MHz 30μA 80MHz≦fo≦170MHz |
| 出力負(fù)荷 | Load | 15pF max. |
| 波形シンメトリ | SYM |
40~60% [50% VCC Level] |
| 0レベル電圧 | VOL | VCC×0.1 max. |
| 1レベル電圧 | VOH | VCC×0.9 min. |
| 立上り時(shí)間、立下り時(shí)間 | tr,tf | 10ns max.(6.75MHz≦fo≦40MHz) |
|
6ns max.(40MHz |
||
|
4ns max.(54MHz |
||
| 2ns max.(80MHz≦fo≦170MHz) | ||
| [10~90% VCC] | ||
| 差動(dòng)出力電圧 | VOD1, VOD2 | - |
| 差動(dòng)出力誤差 | ⊿VOD | - |
| オフセット電圧 | VOS | - |
| オフセット誤差 | ⊿VOS | - |
| クロス點(diǎn)電圧 | Vcr | - |
| OE端子0レベル入力電圧 | VIL | VCC×0.3 max. |
| OE端子1レベル入力電圧 | VIH | VCC×0.7 min. |
| 出力ディスエーブル時(shí)間 | tPLZ | 150ns max. (6.75MHz≦fo≦90MHz) |
| 200ns max. (80MHz≦fo≦170MHz) | ||
| 出力イネーブル時(shí)間 | tPZL | 150ns max. (6.75MHz≦fo≦90MHz) |
| 2ms max. (80MHz≦fo≦170MHz) | ||
| ピリオド ジッタ(1) | tRMS | 2.3ps typ. (σ) |
| tp-p | 22ps typ. (Peak to peak) | |
| トータル ジッタ(1) | tTL | 32ps typ. [tDJ + n×tRJ n=14.1(BER=1×10-12)(2)] |
| 位相ジッタ | tpj | 1ps max. [13.5MHz≦fo<40MHz、fo offset:12kHz~5MHz fo≧40MHz、fo offset:12kHz~20MHz] |
| 梱包単位(3) | - | 2000pcs/reel(180φ) |



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