百利通亞陶晶振,低功耗晶振,NX50SA有源振蕩器.5032mm體積的石英晶體振蕩器有源晶振,改產(chǎn)品可驅(qū)動(dòng)2.5V的溫補(bǔ)晶振,壓控晶振,VC-TCXO晶體振蕩器產(chǎn)品,電源電壓的低電耗型,編帶包裝方式,可對(duì)應(yīng)自動(dòng)高速貼片機(jī)自動(dòng)焊接,及IR回流焊接(無(wú)鉛對(duì)應(yīng)),為無(wú)鉛產(chǎn)品,超小型,質(zhì)地輕.產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用到集成電路,程控交換系統(tǒng),無(wú)線發(fā)射基站.
有源晶振高頻振蕩器使用IC與晶片設(shè)計(jì)匹配技術(shù):有源OSC晶振是高頻振蕩器研發(fā)及生產(chǎn)過(guò)程必須要解決的技術(shù)難題.在設(shè)計(jì)過(guò)程中除了要考慮石英晶體諧振器具有的電性外,還有石英晶體振蕩器的電極設(shè)計(jì)等其它的特殊性,必須考慮石英晶體振蕩器的供應(yīng)電壓、起動(dòng)電壓和產(chǎn)品上升時(shí)間、下降時(shí)間等相關(guān)參數(shù).
Diodes 公司總部及美洲銷售辦公室位于美國(guó)德州普拉諾 (Plano) 與加州米爾皮塔斯 (Milpitas).設(shè)計(jì)、營(yíng)銷與工程中心位于普拉諾、米爾皮塔斯、臺(tái)灣臺(tái)北；臺(tái)灣桃園市、臺(tái)灣竹北市、英國(guó)曼徹斯特及德國(guó)紐豪斯 (Neuhaus).Diodes臺(tái)灣貼片晶振的晶圓生產(chǎn)設(shè)施位于密蘇里州堪薩斯市及曼徹斯特,另外在中國(guó)上海亦設(shè)有一座生產(chǎn)設(shè)施.Diodes 在中國(guó)上海、濟(jì)南、成都、揚(yáng)州,以及香港、紐豪斯及臺(tái)北設(shè)有組裝與測(cè)試設(shè)施.另外在多個(gè)據(jù)點(diǎn)設(shè)有工程、銷售、倉(cāng)儲(chǔ)及物流辦公室,包括臺(tái)北、香港、曼徹斯特、中國(guó)上海、深圳、南韓城南市以及德國(guó)慕尼黑,并于世界各地設(shè)有支持辦公室.
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百利通亞陶晶振 |
NX50SA晶振 |
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輸出類型 |
CMOS |
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輸出負(fù)載 |
15pF |
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振蕩模式 |
基本/第三泛音 |
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電源電壓 |
+2.5V，+3.3V |
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頻率范圍 |
5.000MHz~250.000MHz |
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頻率穩(wěn)定度 |
±20ppm，±50ppm |
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工作溫度 |
-40℃~+85℃ |
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保存溫度 |
-55℃~+125℃ |
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電壓卷（最大值）/ VOH（最小值） |
0.1 VDD / 0.9 VDD |
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啟動(dòng)時(shí)間 |
5 ms Max |
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相位抖動(dòng)（12兆赫~20兆赫） |
1個(gè)PS最大 |
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老化率 |
±3 ppm /年最大 |
存儲(chǔ)事項(xiàng)
(1)在更高或更低溫度或高濕度環(huán)境下長(zhǎng)時(shí)間保存進(jìn)口貼片5032晶振產(chǎn)品時(shí),會(huì)影響頻率穩(wěn)定性或焊接性.請(qǐng)?jiān)谡囟群蜐穸拳h(huán)境下保存這些晶體產(chǎn)品,并在開(kāi)封后盡可能進(jìn)行安裝,以免長(zhǎng)期儲(chǔ)藏.
正常溫度和濕度:溫度:+15°C至+35°C,濕度25%RH至85%RH(請(qǐng)參閱“測(cè)試點(diǎn)JISC60068-1/IEC60068-1的標(biāo)準(zhǔn)條件”章節(jié)內(nèi)容).
(2)請(qǐng)仔細(xì)處理內(nèi)外盒與卷帶.外部壓力會(huì)導(dǎo)致卷帶受到損壞.
自動(dòng)安裝時(shí)的沖擊
自動(dòng)安裝和真空化引發(fā)的沖擊會(huì)破壞產(chǎn)品特性并影響這些進(jìn)口晶體振蕩器.請(qǐng)?jiān)O(shè)置安裝條件以盡可能將沖擊降至低,并確保在安裝前未對(duì)產(chǎn)品特性產(chǎn)生影響.條件改變時(shí),請(qǐng)重新檢查安裝條件.同時(shí),在安裝前后,請(qǐng)確保石英晶振未撞擊機(jī)器或其他電路板等.
激勵(lì)功率
在晶體單元上施加過(guò)多驅(qū)動(dòng)力,會(huì)導(dǎo)致低功耗晶振特性受到損害或破壞.電路設(shè)計(jì)必須能夠維持適當(dāng)?shù)募?lì)功率(請(qǐng)參閱“激勵(lì)功率”章節(jié)內(nèi)容).
負(fù)極電阻
除非振蕩回路中分配足夠多的負(fù)極電阻,否則振蕩或振蕩啟動(dòng)時(shí)間可能會(huì)增加(請(qǐng)參閱“關(guān)于振蕩”章節(jié)內(nèi)容).
負(fù)載電容
振蕩電路中負(fù)載電容的不同,可能導(dǎo)致振蕩頻率與設(shè)計(jì)頻率之間產(chǎn)生偏差.試圖通過(guò)強(qiáng)力調(diào)整,可能只會(huì)導(dǎo)致不正常的振蕩.在使用之前,請(qǐng)指明該振動(dòng)電路的負(fù)載電容(請(qǐng)參閱“負(fù)載電容”章節(jié)內(nèi)容).
機(jī)械處理
當(dāng)有源晶振發(fā)生外置撞擊時(shí),任何石英有源晶體振蕩器在遭到外部撞擊時(shí),或者產(chǎn)品不小心跌落時(shí),強(qiáng)烈的外置撞擊都將會(huì)導(dǎo)致智能家居晶振損壞,或者頻率不穩(wěn)定現(xiàn)象.不執(zhí)行任何強(qiáng)烈的沖擊石英晶體振蕩器.如果一個(gè)強(qiáng)大的沖擊已經(jīng)給振蕩器確保在使用前檢查其特點(diǎn).
CTS晶振,進(jìn)口貼片晶振,532壓控溫補(bǔ)振蕩器
CTS晶振,進(jìn)口有源晶振,636石英晶體振蕩器
百利通亞陶晶振,高精密石英晶振,FYQ晶體
百利通亞陶晶振,有源晶體振蕩器,NX50SB晶振
百利通亞陶晶振,高質(zhì)量石英晶振,UX51振蕩器