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全球首家上百萬(wàn)進(jìn)口晶振代理商

深圳市康華爾電子有限公司

國(guó)際進(jìn)口晶振品牌首選康華爾

首頁(yè) Microchip晶振

M911201NI2-20M48000,7050mm,20MHz,Microchip高性能MEMS振蕩器

M911201NI2-20M48000,7050mm,20MHz,Microchip高性能MEMS振蕩器

產(chǎn)品簡(jiǎn)介

M911201NI2-20M48000,7050mm,20MHz,Microchip高性能MEMS振蕩器，美國(guó)進(jìn)口晶振，Microchip晶振，型號(hào)：M9112X1系列，編碼為：M911201NI2-20M48000，高性能MEMS振蕩器，小體積晶振尺寸：7.0x5.0mm，六腳貼片晶振，工作溫度范圍：-40℃至+85℃，頻率穩(wěn)定性：±50ppm，頻率為：20.000MHz，石英晶體振蕩器，石英晶振，有源晶振。具有超小型，輕薄型，高性能，高品質(zhì)，耐熱及耐環(huán)境特點(diǎn)。應(yīng)用程序：計(jì)算、存儲(chǔ)、網(wǎng)絡(luò)、電信、工業(yè)控制，SATA、SAS、以太網(wǎng)、PCI Express、視頻、Wi-Fi，軍事系統(tǒng)等。

產(chǎn)品詳情

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M911201NI2-20M48000,7050mm,20MHz,Microchip高性能MEMS振蕩器，美國(guó)進(jìn)口晶振，Microchip晶振，型號(hào)：M9112X1系列，編碼為：M911201NI2-20M48000，高性能MEMS振蕩器，小體積晶振尺寸：7.0x5.0mm，六腳貼片晶振，工作溫度范圍：-40℃至+85℃，頻率穩(wěn)定性：±50ppm，頻率為：20.000MHz，石英晶體振蕩器，石英晶振，有源晶振。具有超小型，輕薄型，高性能，高品質(zhì)，耐熱及耐環(huán)境特點(diǎn)。應(yīng)用程序：計(jì)算、存儲(chǔ)、網(wǎng)絡(luò)、電信、工業(yè)控制，SATA、SAS、以太網(wǎng)、PCI Express、視頻、Wi-Fi，軍事系統(tǒng)等。

M911201NI2-20M48000,7050mm,20MHz,Microchip高性能MEMS振蕩器，產(chǎn)品特點(diǎn)：

•2.5 MHz和170 MHz之間的任何頻率，精確到小數(shù)點(diǎn)后6位
•CMOS兼容輸出石英貼片晶振
•極低相位抖動(dòng)：0.65 ps（12 kHz至20 MHz）
•溫度范圍廣：-40°C至+125°C
•標(biāo)準(zhǔn)6引線封裝：7.0×5.0mm，5.0×3.2mm、3.2×2.5mm、2.5×2.0mm
•2.5μA時(shí)的低待機(jī)電流（典型值）

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M911201NI2-20M48000,7050mm,20MHz,Microchip高性能MEMS振蕩器,參數(shù)表

Parameter Symbol Min. Typ. Max. Units Conditions
Output Frequency fOUT 20.0 MHz
Frequency Stability fSTAB –20 +20 ppm Inclusive of initial tolerance at +25°C and
variations over operating temperature,
rated power supply voltage, and load.
–25 +25
–50 +50
Aging fAGING –5 +5 ppm 25°C, ±1 ppm after 1st year
Operating Temperature
Range 		TOP –40 +125 °C Automotive
–40 +105 Extended Industrial
–40 +85 Industrial
–20 +70 Commercial
Supply Voltage VDD 2.25 2.5 2.75 V
2.52 2.8 3.08
2.97 3.3 3.63
Current Consumption IDD — 27 — mA No load condition, f = 100 MHz,
VDD= 2.5V, 2.8V, or 3.3V
OE Disable Current IOD 23 mA f = 100 MHz, OE Disabled
Standby Current ISTD 2.5 5 µA VDD= 3.3V
Duty Cycle DC 45 55 %
Rise Time tr — 1.3 — ns 20% to 80% VDD; CL= 15 pF Standard
Drive Strength
Fall Time t f — 1.3 — ns 20% to 80% VDD; CL= 15 pF Standard
Drive Strength
Output High Voltage VOH 80% VDD +10 mA
Output Low Voltage VOL 20% VDD –10 mA
Input High Voltage VIH 75% VDD Pin 1, OE or ST
Input Low Voltage VIL 25% VDD Pin 1, OE or ST
Enable Pull-Up Resistor ZIN 1.5 MΩ
Start-Up Time tSTART 5.5 6 ms T = +25°C

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M911201NI2-20M48000,7050mm,20MHz,Microchip高性能MEMS振蕩器,尺寸圖

M9112X1尺寸7050-1

M9112X1規(guī)格

M9112X1尺寸7050

M9112X1編碼

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