SMI是Crystal Technology的新興領(lǐng)導(dǎo)者。我們積極為電子社會做出貢獻，在穩(wěn)步的研究和努力的基礎(chǔ)上，快速開發(fā)先進的水晶產(chǎn)品。我們專注于最新的SMD版本的石英晶振單元，時鐘OSC，TCXO，VCXO，OCXO和MCF。并提供高質(zhì)量和高穩(wěn)定性的產(chǎn)品，支持高可靠性數(shù)據(jù)，頻率范圍從16.000kHz（低）到350.000MHz（高），嚴(yán)格的質(zhì)量控制和嚴(yán)格的運輸檢查。除了SMD版本，我們還可以提供通孔型產(chǎn)品。
SMI晶振,貼片晶振,22SMX晶振,貼片諧振器,2520mm體積的晶振,可以說是目前小型數(shù)碼產(chǎn)品的福音,目前超小型的智能手機里面所應(yīng)用的就是小型的石英晶振,該產(chǎn)品最適用于無線通訊系統(tǒng),無線局域網(wǎng),已實現(xiàn)低相位噪聲,低電壓,低消費電流和高穩(wěn)定度,超小型,質(zhì)量輕等產(chǎn)品特點,產(chǎn)品本身編帶包裝方式,可對應(yīng)自動高速貼片機應(yīng)用,以及高溫回流焊接（產(chǎn)品無鉛對應(yīng)）,為無鉛產(chǎn)品.
石英晶振真空退火技術(shù)：進口晶振高真空退火處理是消除貼片晶振在加工過程中產(chǎn)生的應(yīng)力及輕微表面缺陷。在PLC控制程序中輸入已設(shè)計好的溫度曲線，使真空室溫度跟隨設(shè)定曲線對晶體組件進行退火，石英晶振通過合理的真空退火技術(shù)可提高晶振主要參數(shù)的穩(wěn)定性，以及提高石英晶振的年老化特性。
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SMI晶振規(guī)格 |
單位 |
22SMX晶振頻率 |
石英晶振基本條件 |
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標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
f_nom |
16~80MHZ |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
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儲存溫度 |
T_stg |
-40°C～+85°C |
裸存 |
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工作溫度 |
T_use |
-10°C～+70°C |
標(biāo)準(zhǔn)溫度 |
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激勵功率 |
DL |
100μW |
推薦:1μW～1000μW |
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頻率公差 |
f_— l |
±30×10-6(標(biāo)準(zhǔn)), |
+25°C對于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明, |
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頻率溫度特征 |
f_tem |
±30× 10-6/-20°C～+70°C |
超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請聯(lián)系我們. |
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負(fù)載電容 |
CL |
8pF |
超出標(biāo)準(zhǔn)說明,請聯(lián)系我們. |
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串聯(lián)電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C —+85°C,DL = 100μW |
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頻率老化 |
f_age |
±5× 10-6/ year Max. |
+25°C,第一年 |
耐焊性：將加熱包裝材料至+150°C以上會破壞2520貼片石英晶振產(chǎn)品特性或損害產(chǎn)品。如需在+150°C以上焊接,建議使用產(chǎn)品。在下列回流條件下,對產(chǎn)品甚至使用更高溫度,會破壞晶振特性。建議使用下列配置情況的回流條件。安裝這些貼片晶振之前,應(yīng)檢查焊接溫度和時間。同時,在安裝條件更改的情況下,請再次進行檢查。如果需要焊接的晶振產(chǎn)品在下列配置條件下進行焊接,請聯(lián)系我們以獲取耐熱的相關(guān)信息。SMI晶振,貼片晶振,22SMX晶振,貼片諧振器
自動安裝和真空化引發(fā)的沖擊會破壞產(chǎn)品特性并影響這些2520無源晶振產(chǎn)品。請設(shè)置安裝條件以盡可能將沖擊降至最低,并確保在安裝前未對特性產(chǎn)生影響。條件改變時,請重新檢查安裝條件。同時,在安裝前后,請確保石英晶振產(chǎn)品未撞擊機器或其他電路板等。
產(chǎn)品使用每種產(chǎn)品時,請在規(guī)格說明2520mm封裝晶體產(chǎn)品目錄規(guī)定使用條件下使用。因很多種產(chǎn)品性能,以及材料有所不同,所以使用注意事項也有所不同,比如焊接模式,運輸模式,保存模式等等,都會有所差別。
希華晶振,貼片晶振,SX-2520晶振,智能穿戴晶振
維管晶振,貼片晶振,VXM8晶振,石英晶體諧振器
進口愛普生晶振FA-20H,Q24FA20H00005水晶振動子